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鈣鈦礦電池激光刻蝕、劃線設備

鈣鈦礦電池激光刻蝕、劃線系統

導電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等鈣鈦礦電池材料激光刻蝕劃線處理

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萬先生 135-4505-0045

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可根據需求將整個加工部分置入手套箱內加工

根據不同場景的需求，配置納秒脈寬的紅外光纖（1064nm）、綠光（532nm）波段光源；皮秒脈寬的紅外光纖（1064nm）、綠光（532nm）、紫外（355nm）波段光源；飛秒脈寬的紅外光纖（1030nm）、綠光（515nm）波段光源進行微精細激光刻蝕、劃線、構造去除、劃片、表面剝離等應用。

適用于柔性PET/PI/PEN/玻璃等基底材料上的鈣鈦礦太陽能電池激光刻蝕劃線應用。

玻璃、PET、PI、PNT等基底上薄膜材料激光刻蝕，應用于觸摸屏、光伏太陽能電池、電至色玻璃等行業。

適用于導電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等材料處理。特別是針對鈣鈦礦電池領域的陰電極、鈣鈦礦空穴傳輸層、阻擋層、鈣鈦礦層、陽電極激光刻蝕劃線技術上有獨到的技術優勢。

采用自主研發的控制軟件、直接導入CAD 數據CCD相機定位自動激光刻蝕，操作簡單，方便快捷；采用通過軟件實時調節振鏡與直線電機、電動升降工作臺的設計，加上真空吸附托盤裝置，能有效地解決激光刻蝕加工運行中的平穩性。

設備集數控技術、激光技術、軟件技術等光機電高技術于一體，具有高靈活性、高精度、高速度等先進制造技術的特征。可大范圍內進行各種圖案，各種尺寸的精密、高速刻蝕，并且能夠保證很高的產能，是一個可靠、穩定和具有高性能價格比的產品。

主要構成：激光器、光路系統、運動控制系統、電控制系統、定位系統、抽塵系統、真吸附空系統、大理石龍門結構、鈑金結構件等。

型號	納秒綠光ET200MG		皮秒綠光 ET300MGPS	皮秒紫外 ET300UV-PS	飛秒紅外 ET300IR-FS	飛秒綠光 ET300MG-FS	實驗室刻蝕機 ET100IR/ET100MG
激光器	532nm		532nm	355nm	1030nm	515nm	1064/532nm
功率	5/10W		10/15/30W	10/15/30W	20/30/40W	10W	20W/5W
加工尺寸	100100/200200/300300/400300/600600/600900/700*1400mm可選可定制加工幅面						110*110mm可選
激光器頻率	30-150KHz		1-1000KHz	1-1000KHz	25-5000KHz	25-5000KHz	1-2000KHz/ 30-100khz
振鏡	10/14mm通光孔徑						10mm通光孔徑
聚焦鏡	4040/7070/110*110mm幅面（根據不同的應用場景選擇）						100-140mm可選
擴束鏡	4X		2-8X可調				1.5X
聚焦光斑	＜30μm		＜10μm				＜50μm
最小線寬	＜30μm		＜10μm				＜50μm
	最大可根據需要可全部去除鍍層材料，如P4清邊處理
最小線間距	＜30μm		＜10μm				＜50μm
熱影響區	＜5μm		＜3μm
直線度	±10μm		±5μm（最小可至±1μm）				±20μm
Z軸電機行程	50mm（自動軟件控制）						手動500mm
工作臺定位精度	±3μm						±20μm
工作臺重復精度	±1μm						±20μm
CCD相機定位精度	±3μm						±10μm
刻蝕速度	最大刻蝕速度4000mm/s（單線）
設備尺寸/重量	120012001700mm（30000mm幅面內）約1000Kg 納秒大尺寸及雙光路 128014001750mm（300300mm幅面內）約1800Kg 皮秒/飛秒電話聯系 180018001750mm（600*600mm幅面內）約2500kg皮秒/飛秒						10507001660mm（LWH）約300Kg
設備功耗	＜2500W	＜3000W					＜1500W
設備文件格式	標準CAD DXF文件						DXF/PLT/JPG等
備注：量產后一般采用多種波段激光配合使用，非單臺機器完成所有膜層制作。